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    Electrically enhanced infrared photoluminescence in Cr:ZnSe

    Jaeck, Julien, Haidar, Riad, Pardo, Fabrice, Pelouard, Jean-Luc, Rosencher, Emmanuel
    Applied Physics Letters, 24 May 2010, Vol.96(21) [Revue évaluée par les pairs]
    © 2010 American Institute of Physics (AIP)
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    Titre: Electrically enhanced infrared photoluminescence in Cr:ZnSe
    Auteur: Jaeck, Julien; Haidar, Riad; Pardo, Fabrice; Pelouard, Jean-Luc; Rosencher, Emmanuel
    Sujet: Lasers, Optics, And Optoelectronics
    Description: A sixfold enhancement of infrared (IR) photoluminescence (PL) from thick single crystal Cr:ZnSe under electrical excitation is reported. The baseline PL signal is obtained under a charge-transfer band optical seeding. The electrically enhanced IR signal is localized in the vicinity of the cathode and is shown to be likely related to hole concentration. The various mechanisms involved in this IR light emission will be discussed.
    Fait partie de: Applied Physics Letters, 24 May 2010, Vol.96(21)
    Identifiant: 0003-6951 (ISSN); 1077-3118 (E-ISSN); 10.1063/1.3431663 (DOI)

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    La puce et l'ordinateur

    Rosencher, Emmanuel
    [Paris] : Flammarion
    1994 (dépôt légal 1995)
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    Titre: La puce et l'ordinateur / Emmanuel Rosencher
    Auteur: Rosencher, Emmanuel
    Editeur: [Paris] : Flammarion
    Date: 1994 (dépôt légal 1995)
    Collation: 124 p. : ill. ; 18 cm
    Collection: Dominos ; 46
    Documents dans cette collection: Dominos : un exposé pour comprendre, un essai pour réfléchir
    Sujet RERO: Microprocesseurs - Ordinateurs - Circuits intégrés
    Note: Bibliogr.: p. 119
    Identifiant: 2080352415 (ISBN)
    No RERO: 1970082
    Permalien:
    http://data.rero.ch/01-1970082/html?view=FR_V1

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    Resonant metallic nanostructure for enhanced two-photon absorption in a thin GaAs p-i-n diode

    Portier, Benjamin, Vest, Benjamin, Pardo, Fabrice, Péré-Laperne, Nicolas, Steveler, Emilie, Jaeck, Julien, Dupuis, Christophe, Bardou, Nathalie, Lemaître, Aristide, Rosencher, Emmanuel, Haïdar, Riad, Pelouard, Jean-Luc
    Applied Physics Letters, 07 July 2014, Vol.105(1) [Revue évaluée par les pairs]

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    Interface roughness transport in terahertz quantum cascade detectors

    Lhuillier, Emmanuel, Ribet-Mohamed, Isabelle, Rosencher, Emmanuel, Patriarche, Gilles, Buffaz, Amandine, Berger, Vincent, Carras, Mathieu
    Applied Physics Letters, 08 February 2010, Vol.96(6) [Revue évaluée par les pairs]

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    Optoélectronique

    Rosencher, Emmanuel
    Vinter, Borge
    Paris [etc.] : Masson
    1998
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    Titre: Optoélectronique / Emmanuel Rosencher, Borge Vinter
    Auteur: Rosencher, Emmanuel
    Contributeur: Vinter, Borge
    Editeur: Paris [etc.] : Masson
    Date: 1998
    Collation: XVIII, 558 p. : ill. ; 25 cm
    Collection: Enseignement de la physique
    Documents dans cette collection: Enseignement de la physique
    Sujet RERO: Optoélectronique
    Sujet RERO - forme: [Manuels d'enseignement supérieur]
    Classification: LC QC446.2
    Identifiant: 2225829357 (ISBN); http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb36968520x (URN)
    No RERO: R248172360
    Permalien:
    http://data.rero.ch/01-R248172360/html?view=FR_V1

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    Quantum well infrared photodetectors hardiness to the nonideality of the energy band profile

    Lhuillier, Emmanuel, Péré-Laperne, Nicolas, Ribet-Mohamed, Isabelle, Rosencher, Emmanuel, Patriarche, Gilles, Buffaz, Amandine, Berger, Vincent, Nedelcu, Alexandru, Carras, Mathieu
    Journal of Applied Physics, 15 June 2010, Vol.107(12) [Revue évaluée par les pairs]

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    Photon extrabunching in ultrabright twin beams measured by two-photon counting in a semiconductor

    Boitier, Fabien, Godard, Antoine, Dubreuil, Nicolas, Delaye, Philippe, Fabre, Claude, Rosencher, Emmanuel
    Nature communications, August 2011, Vol.2, p.425 [Revue évaluée par les pairs]

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    Two-Photon Counting interferometry

    Boitier, Fabien, Godard, Antoine, Dubreuil, Nicolas, Delaye, Philippe, Fabre, Claude, Rosencher, Emmanuel
    Physical review. A, Atomic, molecular, and optical physics, 31 January 2013, Vol.87(1), p.013844 [Revue évaluée par les pairs]
    Hyper Article en Ligne (CCSd), Hyper Article en Ligne Open Access (CCSd)
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    Nonlinear reflection effects on Fresnel phase matching

    Raybaut, Myriam, Godard, Antoine, Toulouse, Alexis, Lubin, Clément, Rosencher, Emmanuel
    Applied Physics Letters, 24 March 2008, Vol.92(12) [Revue évaluée par les pairs]
    © 2008 American Institute of Physics (AIP)
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    Titre: Nonlinear reflection effects on Fresnel phase matching
    Auteur: Raybaut, Myriam; Godard, Antoine; Toulouse, Alexis; Lubin, Clément; Rosencher, Emmanuel
    Sujet: Lasers, Optics, And Optoelectronics
    Description: An experimental study of the second harmonic generation conversion efficiency of Fresnel phase matching as a function of a gallium arsenide sample length is presented. It shows a strong deviation from the classical quadratic law, explaining the low conversion yields related in the literature. In order to explain these experimental results, a highly multimodal nonlinear waveguide model is developed which shows a good agreement with the experimental results. It highlights the detrimental role of nonlinear reflection.
    Fait partie de: Applied Physics Letters, 24 March 2008, Vol.92(12)
    Identifiant: 0003-6951 (ISSN); 1077-3118 (E-ISSN); 10.1063/1.2901032 (DOI)

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    Infrared quantum counting by nondegenerate two photon conductivity in GaAs

    Boitier, Fabien, Dherbecourt, Jean-Baptiste, Godard, Antoine, Rosencher, Emmanuel
    Applied Physics Letters, 23 February 2009, Vol.94(8) [Revue évaluée par les pairs]
    © 2009 American Institute of Physics (AIP)
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    Titre: Infrared quantum counting by nondegenerate two photon conductivity in GaAs
    Auteur: Boitier, Fabien; Dherbecourt, Jean-Baptiste; Godard, Antoine; Rosencher, Emmanuel
    Sujet: Lasers, Optics, And Optoelectronics
    Description: We report on infrared quantum counting of photons at optical communication wavelengths based on nondegenerate two-photon absorption in a GaAs photomultiplier tube. The detected photon energy is lower than the GaAs band gap and the energy difference is complemented by a high intensity pump field. This detection setup is simple, compact, has a broad spectral bandwidth, and benefits from the intrinsic low noise and dark counts of large band gap semiconductor junctions.
    Fait partie de: Applied Physics Letters, 23 February 2009, Vol.94(8)
    Identifiant: 0003-6951 (ISSN); 1077-3118 (E-ISSN); 10.1063/1.3089380 (DOI)